戴尔采用Navitas的GaNFast IC作为笔记本适配器快充

  Navitas半导体公司表示，戴尔首次使用其GaNFast氮化镓（GaN）技术的功率IC。

  Navitas成立于2014年，推出了据称是首款商用GaN功率IC。该公司表示，其专有的“AllGaN”工艺设计套件（PDK）将GaN功率场效应晶体管（FET）与GaN模拟和逻辑电路单片集成，从而为移动，消费类，企业级，电动汽车和新能源市场应用提供了更快的充电速度，更高的功率密度和更多的能耗节省。

  戴尔USB-C增强型电源适配器PA901是一款双输出快速充电器，可通过USB-C电缆提供90W功率，可为笔记本电脑进行大功率充电；另外，通过USB-A还可提供10W功率，可同时为智能手机充电。该适配器采用Dell Express Charge技术，在短短15分钟内将电源快速提升35％，并将在一小时内为Dell Latitude充到80％电量。

  Navitas表示，GaNFast电源IC集成了具有驱动，控制和保护功能的GaN FET，与基于硅的解决方案相比，其功率密度为原来的三倍。有必要注意一下的是，在已交付的超过900万颗GaNFast电源IC中，故障数量为零。

  Navitas首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan表示，GaNFast技术可实现小尺寸，轻便和散热等愿景，这对于移动快充至关重要。他补充说：“戴尔采用快充的GaN对旧的，进步缓慢的硅技术是一次冲击。Navitas的设计，应用程序和质量团队与Dell进行了一系列严格的技术，性能和可靠性审查，以确保安全、成功地启动适配器。”

  Dell适配器中使用了两种NV6117 GaNFast电源IC：一种用于临界传导模式（CrCM）升压功率因数校正电路（PFC），另一种用于DC-DC准谐振（QR）反激。该适配器是由Chicony Power Technology为Dell设计和制造的，并得到当地Navitas应用工程的支持。

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  Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同种类型的产品中拥有出色的稳健性、易用性和高效率 稳健、高效，可像 MOSFET 一样驱动 2023 年 5 月 15 日 英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。 CGD 今日宣布推出其 ICeGaN™ 650 V 氮化镓 HEMT H2 系列新产品，该器件具备业界领先的稳健性、易用性，可实现历史最高效率。 H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 智能栅极接口，该接口几乎消除了典型 e-mode GaN

  Devices 推出第二代 ICeGaN ICs /

  氮化镓功率器件因其高速开关能力、高功率密度和成本效益而成为市场的热门选择。然而，由于工作电压和长期可靠性的制约，这一些器件的潜力并未得到充分的发挥，主要在消费电子领域内竞争价格。近期，随着高压氮化镓器件的陆续推出，我们正真看到了它们在更广泛市场应用中的潜力。 远山半导体最近发布了新一代高压氮化镓功率器件，并在泰克先进半导体实验室做了详尽的测试，这些测试结果为咱们提供了对远山半导体氮化镓功率器件性能的全方面了解。 目前，远山现有产品有700V、1200V、1700V、3300V等多种规格的蓝宝石基氮化镓功率器件，多项性能指标处于行业内领先，主要使用在于高功率PD快充、车载充电器、双向DC-DC、微型逆变器、便携储能、V2G等领域。

  功率器件 /

  自 20 世纪 60 年代以来，硅基MOSFET一直是电力电子应用的标准。另外，越来越小的给寻求在越来越小的外观尺寸中提供更高效率和更大功率密度的研发人员带来了新的挑战。从大型数据中心和墙壁插座交流适配器到汽车车载充电站的各种电源都需要高电压，同时占用尽可能少的宝贵电路板空间。汽车电气架构需要更有效的能量分配来操作慢慢的变多的用于导航和检测潜在障碍物的成像设备和传感器。 目前硅基半导体功率表现已经到达了极限，氮化镓慢慢的被证明是最佳解决方案。 了解 GaN HEMT GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）不一定在任何场景中都比Si MOSFET、碳化硅 (SiC) MOSFET 或 IGBT（绝缘栅双极晶体管）更好。 然而，

  IT之家 1 月 11 日消息 今天下午，红魔手机手机发布了新品红魔 6 的预热信息，称新品将配备 4500mAh 电池，支持 120W 快充，还送氮化镓充电器。 IT之家了解到，去年下半年，红魔推出了红魔 5s 游戏手机，搭载骁龙 865 处理器，采用 144Hz 屏幕，首发 3799 元起。 红魔 5s 游戏手机搭载了骁龙 865 处理器，配备最高 16GB 的 LPDDR5 内存和 UFS3.1 格式储存，采用 6.65 英寸 AMOLED 屏，支持 144Hz 刷新率。配置方面，红魔 5s 配备了 4500mAh 电池，支持 55W 快充，后置索尼 6400 万像素主摄，以及 200 万像素微距和

  在过去的几十年中，SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）技术都呈现加快速度进行发展，并且正在被各行业所接受，有着广阔的未来市场发展的潜力。第一个商用 SiC 器件是德国英飞凌公司2001年推出的肖特基二极管。预计到2026 年，工业市场相关需求有望超过 40 亿美元。 GaN 则是相对较新，2010 年首次亮相，当时美国 EPC 推出了其超快速开关晶体管。市场采用率尚未达到 SiC 的水平，但到 2026 年，功率 GaN 收入也有一定的可能达到 10 亿美元。 两项技术未来财富密码都在电动汽车和混合动力汽车中。对于 SiC，EV/HEV 市场确实是最佳市场——预计市场营收将超过 25 亿美元。 宽带隙半导体继续在电源管理和其他汽车应用中取得进展

  与SiC在汽车中的成功应用 /

  硝烟弥漫的迷你快充市场再掀风云。继火爆的20W迷你快充之后，33W氮化镓迷你快充也开始“杀”入江湖。 从头部手机生产厂商的动作来看，继小米、OPPO、华为等相继标配GaN快充之后，苹果也“坐不住了”。今年年初便有消息传出，苹果也将入局GaN快充市场。市场分析认为，苹果入局氮化镓快充的首款产品将会是30W GaN快充。 需求即意味着机遇，GaN快充上游厂商早已吸引了不少公司进行了相关布局。而于此之中，作为氮化镓IDM企业的英诺赛科，可谓是一个“最靓的仔”，布局速度与深度颇受关注。 二代新品迅速成为市场焦点 2021年初，英诺赛科就率先在InnoGaN领域激起浪花——第二代新品INN650DA04正式面世。简单来说，INN650DA04具

  健康议题发酵，促成紫光LED崭露头角。 根据许多研究指出，光对人体睡眠模式与健康影响甚大，当人体在夜晚暴露于带有蓝光的LED灯下时，可能对睡眠与长期健康产生负面影响。 为解决这一个问题，紫光LED具备复制自然光时间与可见光光谱的特性，可根据日出和日落时间自动适应环境，调整用户习惯，打造全新的健康生活环境。 诺贝尔物理奖得主中村修二表示，照明影响人很多健康问题，蓝光会抑制脑内释放褪黑激素，阻挡睡意，只要周围有足够的蓝光刺激到眼睛，就有机会停止释放褪黑激素，产生睡眠质量与近视问题，而这些问题都是早期自然光源时没有这样的一个问题。 中村修二指出，现今已有慢慢的变多医学专家开始注意到照明不同波长对人体健康影响，期望得知LED的哪一个波长或颜

  由意法半导体（ST）担任协调者的欧洲SiC/GaN功率半导体开发项目“LAST POWER（Large Area silicon-carbide Substrates and heTeroepitaxial GaN for POWER device applications）”公布了自2010年4月启动以来3年内取得的开发成果。 LAST POWER是由欧洲纳米科技倡议咨询委员会联合工作组(European Nanoelectronics Initiative Advisory Council Joint Undertaking，UENIAC JU）于2010年4月启动的功率电子开发项目，由从事SiC及GaN等宽禁带半导

  功率晶体管——器件、电路与应用（技术文章）

  的激光雷达强度模拟

  器件的大功率变流器拓扑及调制策略

  功率器件等效电路建模理论与技术 (徐跃杭，徐锐敏，李言荣著)

  东芝1200V SIC SBD “TRSxxx120Hx系列” 助力工业电源设备高效

  TI 基于GaN 的高频(1.2MHz)高效率 1.6kW 高密度临界模式 (CrM) 图腾柱功率因数校正 (PFC)转换器的应用介绍

  2018 PSDS 研讨会系列 - (3) 基于氮化镓和硅管的有源嵌位反激变换器的比较

  2024 瑞萨电子MCU/MPU工业技术研讨会——深圳、上海站， 火热报名中

  Follow me第二季第4期来啦！与得捷一起解锁蓝牙/Wi-Fi板【Arduino Nano RP2040 Connect】超能力！

  嵌入式工程师AI挑战营（进阶）：基于RV1106部署InsightFace算法，实现多人的实时人脸识别

  “为氮化镓技术树立新标杆（New Benchmark）”，一向保守的Power Integrations（PI）罕见用这么富有冲击力的标题来发表一颗新品IC170 ...

  我们专门请纳芯微技术市场经理庞家华进行了解读，庞家华深耕栅极驱动芯片多年，具有广泛的技术及行业经验。...

  摘要技术世界千变万化，人们对高效可靠电源解决方案的需求持续上升。近年来，48 V电源电压非常关注。乍看之下，48 V可能并不新颖，但它具 ...

  记者10日从昆明理工大学冶金与能源工程学院获悉，该院华一新教授团队近日在低共熔溶剂回收废旧锂离子电池领域取得重要研究进展，不仅为废旧 ...

  （2024年11月8日，上海）今日，南芯科技 宣布推出全新高效同步双向升降压充电芯片 SC8808，可支持最高 80V 的充电电压，主要面向需求持 ...

  艾迈斯欧司朗推出全新UV-C LED，提升UV-C消毒与处理解决方案效率

  ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT

  典型应用，用于 TS4994 的 DFN10 版本，具有可选待机功能的 1W 差分输入/输出音频功率放大器

   使用 Analog Devices 的 LTC3526EDC-2 的参考设计

  LTC2155-12 演示板，12 位，170Msps，1.8V 双路 ADC，DDR LVDS 输出，5-140MHz

   使用 Richtek Technology Corporation 的 RT7251AZQW 的参考设计

  是德科技推出光测试解决方案，助力收发信机制造商缩短测试时间、降低测试成本

  NVIDIA 和 Evozyne 创建用于生成蛋白质的生成式 AI 模型

  西门子精彩视频限时免费利用电子科技类产品生命周期管理 (PLM) 更快地交付更多产品

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